-
Avbrott
Flänsade avslutningar installeras i slutet av en krets, som absorberar signaler som överförs i kretsen och förhindrar signalreflektion, vilket påverkar överföringskvaliteten för kretssystemet. Den flänsade terminalen monteras genom att svetsa ett enda blyterminalmotstånd med flänsar och lappar. Flänsstorleken är vanligtvis utformad baserad på kombinationen av installationshål och terminalmotståndsdimensioner. Anpassning kan också göras enligt kundens användningskrav.
-
RFTXXN-100AJ8957-3 Ledad dämpare DC ~ 3,0 GHz RF-dämpare
Model RFTXXN-100AJ8957-3 (xx = dämpningsvärde) Impedans 50 Ω Frekvensområde DC ~ 3.0GHz VSWR 1,20 Max Rankad kraft 100 W dämpningsvärde 13、20、30DB dämpningstolerans ± 1,0DB Temperaturkoefficient <150PPM/℃ Substrate Material ALN PORCEL PORCERICE HATCINE HATCINE MATERING MATERIAL ENERMATERIAMER 99999,9 -55 till +150 ° C. -
Mikrostripdämpare
Microstrip -dämpare är en enhet som spelar en roll i signaldämpning inom mikrovågsfrekvensbandet. Att göra det till en fast dämpare används allmänt i fält som mikrovågskommunikation, radarsystem, satellitkommunikation, etc., vilket ger kontrollerbar signaldämpningsfunktion för kretsar. Mikrostripdämpare chips, till skillnad från den vanligt använda patch -dämpningschips, måste monteras i en specifik lufthuv med hjälp av coaxial anslutning för att uppnå signaluppnå från inmatning.
Anpassad design tillgänglig på begäran.
-
RFT20N-60AM6363-6 Ledad dämpare DC ~ 6,0 GHz RF-dämpare
Modell RFT20N-60AM6363-6 (xx = dämpningsvärde) Impedans 50 Ω Frekvensområde DC ~ 6.0GHz VSWR 1,25 Max Rankad effekt 60 W Dämpningsvärde 20DB Dämpning Tolerans ± 0,8 DB Temperaturkoefficient <150ppm/℃ Subsion Material Aln Por Material Al2Oo3399. -55 till +150 ° C. -
RFTXX-60AM6363B-3 Ledad dämpare DC ~ 3,0 GHz RF-dämpare
Model RFTXX-60AM6363B-3 (XX=Attenuation value) Impedance 50 Ω Frequency Range DC~3.0GHz VSWR 1.25 max Rated Power 60 W Attenuation Value 01-10dB/16dB/20dB Attenuation Tolerance ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB Temperature coefficient <150ppm/℃ Substrate Material BeO Porslinhattmaterial Al2O3 Lead 99.99% Sterling Silver Resistance Technicy Tjock Film Drifttemperatur -55 till +150 ° C (se DE Power DE -Rating) Outline Ritning (enhet: MM/tum) Ledlängd kan vara CU ... -
RFTXXA-05AM0404-3 Ledad dämpare DC ~ 3,0 GHz RF-dämpare
Modell RFTXXA-05AM0404-3 (xx = dämpningsvärde) Impedans 50 Ω Frekvensområde DC ~ 3.0GHz VSWR 1,20 Max-nominell effekt 5 W dämpningsvärde (DB) 01-10/15, 17, 20/25 specifh Al2O3 Porslin Hat Material Al2O3 Lead 99.99% Sterling Silver Resistance Technology Film Drifttemperatur -55 till +150 ° C (se DE Power de -Rating) Outline Ritning (enhet: mm/tum) Ledningslängd ... -
Mikrostripcirkulator
Microstrip -cirkulator är en vanligt använt RF -mikrovågsanordning som används för signalöverföring och isolering i kretsar. Den använder tunn filmteknologi för att skapa en krets ovanpå en roterande magnetisk ferrit och lägger sedan till ett magnetfält för att uppnå den. Installationen av mikrostrips ringformade enheter antar vanligtvis metoden för manuell lödning eller guldtrådbindning med kopparremsor. Strukturen för mikrostripcirkulatorer är mycket enkel, jämfört med koaxiella och inbäddade cirkulatorer. Den mest uppenbara skillnaden är att det inte finns någon hålrum, och ledaren av mikrostripcirkulatorn görs genom att använda en tunn filmprocess (vakuumsputning) för att skapa det designade mönstret på rotationsferriten. Efter elektroplätering är den producerade ledaren fäst vid rotationsferritunderlaget. Fäst ett lager isolerande medium ovanpå grafen och fixa ett magnetfält på mediet. Med en så enkel struktur har en mikrostripcirkulator tillverkats.
Frekvensområde 2,7 till 40 GHz.
Militära, rymd- och kommersiella tillämpningar.
Låg insättningsförlust, hög isolering, hantering av hög effekt.
Anpassad design tillgänglig på begäran.
-
Bredbandscirkulator
Bredbandcirkulator är en viktig komponent i RF -kommunikationssystem, vilket ger en serie fördelar som gör det mycket lämpligt för olika applikationer. Dessa cirkulatorer ger bredbandstäckning, vilket säkerställer effektiv prestanda över ett brett frekvensområde. Med sin förmåga att isolera signaler kan de förhindra störningar från bandsignaler och upprätthålla integriteten i bandsignaler. En av de viktigaste fördelarna med bredbandscirkulatorer är deras utmärkta höga isoleringsprestanda. Samtidigt har dessa ringformade anordningar bra portstående vågegenskaper, vilket minskar reflekterade signaler och bibehåller stabil signalöverföring.
Frekvensområde 56 MHz till 40 GHz, BW upp till 13,5 GHz.
Militära, rymd- och kommersiella tillämpningar.
Låg insättningsförlust, hög isolering, hantering av hög effekt.
Anpassad design tillgänglig på begäran.
-
RFTXX-60CA6363B-3 CHIP dämpare DC ~ 3,0 GHz RF-dämpare
Model RFTXX-60CA6363B-3 (xx = dämpningsvärde) Resistensområde 50 Ω Frekvensområde dc ~ 3.0GHz VSWR 1.25 Max effekt 60 W dämpningsvärde (dB) 01-10DB/11-20DB/21-30DB ATTENUATION TOLERANCE (DB) ± 0.6DB/± 0,8DB/STB-TYCKNESKA-TEMPEKNING AV 1 <150ppm/℃ Substratmaterial Beo Resistance Technology Tjock Film Drifttemperatur -55 till +150 ° C (se de Power DE-Rating) Metod Metod Power Ded-Rating Reflöde Lödningstid och temperaturdiagram P/N-beteckning ... -
RFTXXN-20CA5025C-3 CHIP dämpare DC ~ 3,0 GHz RF-dämpare
Modell RFTXXN-20CA5025C-3 (xx = dämpningsvärde) Resistensintervall 50 Ω Frekvensområde DC ~ 3.0GHz VSWR 1.25 Max effekt 20 W Dämpningsvärde (DB) 01-10DB/11-20DB/21-30DB ATTENUATION Tolerans (DB) ± 0.6DB/± ± 0.6DB/± ± 0.8DB/° <150ppm/℃ Substratmaterial Aln Resistance Technology Tjock film Drifttemperatur -55 till +150 ° C (se DE Power DE -RATING) Typisk prestanda: 2dB Graf 20dB Graf 6dB Graf 30dB Graf Installationsmetod ... -
RFTXXN-10CA5025C-6 CHIP dämpare DC ~ 6,0 GHz RF-dämpare
Modell RFTXXN-10CA5025C-6 (xx = dämpningsvärde) Resistensintervall 50 Ω Frekvensområde DC ~ 6.0GHz VSWR 1,25 Max Power 10 W Dämpningsvärde (DB) 01-10DB/11-20DB DAMNATION Tolerans (DB) ± 0,6DB/± 0.8DB Driftstemperatur -55 till +150 ° C (se de power de-rating) Typisk prestanda: 6dB graf 20dB grafinstallationsmetod Power DE-Rating Reflow lödningstid & ... -
RFTXX-250RM1313K Leaded Motstånd RF Motstånd
Model RFTXX-250RM1313K Power 250 W Resistance XX Ω~ (10-1000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Capacitance 2.0 PF@100Ω Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Cover AL2O3 Lead Copper silver plating Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating REFLOW -profil P/N -beteckning Använd uppmärksamhet ■ Efter lagringsperioden för nyköpta komponenter överstiger 6 mån ...
