produkter

Produkter

Flänsad avslutning

Flänsavslutningar installeras i slutet av en krets, vilka absorberar signaler som överförs i kretsen och förhindrar signalreflektion, vilket påverkar överföringskvaliteten i kretssystemet. Flänsavslutningen monteras genom att svetsa ett enda terminalmotstånd med flänsar och patchar. Flänsstorleken utformas vanligtvis baserat på kombinationen av installationshål och terminalmotståndsdimensioner. Anpassning kan också göras enligt kundens användningskrav.


  • Nominell effekt:5–1500 W
  • Substratmaterial:BeO, AlN, Al2O3
  • Nominellt resistansvärde:50Ω
  • Resistanstolerans:±5 %, ±2 %, ±1 %
  • Temperaturkoefficient:<150 ppm/℃
  • Driftstemperatur:-55~+150℃
  • Flänsbeläggning:valfri nickel- eller silverplätering
  • ROHS-standard:Kompatibel med
  • Ledlängd:L enligt specifikationerna i databladet
  • Anpassad design tillgänglig på begäran.:
  • Produktinformation

    Produktetiketter

    Flänsad avslutning

    Flänsad avslutning
    Huvudsakliga tekniska specifikationer:

    Nominell effekt: 5–1500 W;
    Substratmaterial: BeO, AlN, Al2O3
    Nominellt resistansvärde: 50Ω
    Resistanstolerans: ±5%, ±2%, ±1%
    Temperaturkoefficient: <150 ppm/℃
    Driftstemperatur: -55 ~ + 150 ℃
    Flänsbeläggning: valfri nickel- eller silverplätering
    ROHS-standard: Uppfyller
    Tillämplig standard: Q/RFTYTR001-2022
    Ledningslängd: L enligt databladet
    (kan anpassas efter kundens krav)

    zxczxc1
    Driva
    (V)
    Frekvens
    Räckvidd
    Mått (enhet: mm) SubstratMaterial Konfiguration Datablad
    (PDF-fil)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIG1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG2   RFT50A-05TM0904(H,V,I)
    10W 4GHz 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7750((H,V))
    6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG1   RFT50A-10TM1304
    AlN FIG1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIG1   RFT50A-10TM1104
    AlN FIG1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 FIG2   RFT50A-10TM0904(H,V,I)
      AlN FIG2   RFT50N-10TJ0904(H,V,I)
    8 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIG1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(H,V,I)
    18 GHz 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7750I
    20W 4GHz 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-20TM7750((H,V))
    6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 AlN FIG1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 AlN FIG1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 AlN FIG2   RFT50N-20TJ0904(H,V,I)
    8 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIG1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(H,V,I)
    18 GHz 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7750I
    30W 6 GHz 16,0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIG1   RFT50N-30TJ1606
    BeO FIG1   RFT50-30TM1606
    20,0 6.0 14.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG1   RFT50N-30TJ2006
    BeO FIG1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG2   RFT50N-30TJ1306(H,V,I)
    3.0 BeO FIG2   RFT50-30TM1306(H,V,I)
    60W 6 GHz 16,0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIG1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO FIG1   RFT50-60TM1606
    20,0 6.0 14.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO FIG1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG2   RFT50N-60TJ1306(H,V,I)
    3.2 BeO FIG2   RFT50-60TM1306(H,V,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Driva
    (V)
    Frekvens
    Räckvidd
    Mått (enhet: mm) Substrat
    Material
    Konfiguration Datablad (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100W 3 GHz 24,8 9,5 18.4 9,5 2,9 4.8 5,5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG1   RFT50-100TM2595
    4GHz 16,0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2,5 1.0 6.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50N-100TM1606
    20,0 6.0 14.0 9.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50N-100TJ2006
    24,8 6.0 18.4 6.0 2,8 3,8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50-100TM2506
    16,0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-100TJ1610(H,V,I)
    23,0 10.0 17,0 10.0 1,5 3.0 3,8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50-100TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO FIG1   RFT50-100TJ2510
    5 GHz 13.0 6,35 10.0 6,35 1,5 2,5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-100TJ1363(H,V,I)
    16,6 6,35 12.0 6,35 1,5 2,5 3,5 1.0 5.0 / 2,5 BeO FIG1   RFT50-100TM1663
    6 GHz 16,0 6.0 13.0 8,9 1.0 2.0 2,5 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIG1   RFT50N-100TJ1606B
    20,0 6.0 14.0 8,9 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG1   RFT50N-100TJ2006B
    8 GHz 20,0 6.0 14.0 8,9 1,5 3.0 3,5 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG1   RFT50N-100TJ2006C
    150W 3 GHz 16,0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TM1610(H,V,I)
    22,0 9,5 14.0 6,35 1,5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN FIG1   RFT50N-150TJ2295
    24,8 9,5 18.4 9,5 2,9 4.8 5,5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG1   RFT50-150TM2595
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO FIG1   RFT50-150TM2510
    4GHz 16,0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TJ1610(H,V,I)
    23,0 10.0 17,0 10.0 1,5 3.0 3,8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-150TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO FIG1   RFT50-150TJ2510
    200W 3 GHz 24,8 9,5 18.4 9,5 2,9 4.8 5,5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG1   RFT50-200TM2595
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO FIG1   RFT50-200TM2510
    4GHz 16,0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-200TM1610(H,V,I)
    23,0 10.0 17,0 10.0 1,5 3.0 3,8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-200TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO FIG1   RFT50-150TJ2510
    10 GHz 32,0 12,7 22,0 12,7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG1   RFT50-200TM3213B
    250W 3 GHz 23,0 10.0 17,0 12.0 1,5 3.0 3,8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-250TM2310
    24,8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO FIG1   RFT50-250TM2510
    27,0 10.0 21.0 12.0 2,5 4.0 5,5 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50-250TM2710
    10 GHz 32,0 12,7 22,0 12,7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG1   RFT50-250TM3213B
    300W 3 GHz 23,0 10.0 17,0 12.0 1,5 3.0 3,8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50-300TM2310
    24,8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO FIG1   RFT50-300TM2510
    27,0 10.0 21.0 12.0 2,5 4.0 5,5 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50-300TM2710
    10 GHz 32,0 12,7 22,0 12,7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG1   RFT50-300TM3213B
    400W 2 GHz 32,0 12,7 22,0 12,7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG1   RFT50-400TM3213
    500W 2 GHz 32,0 12,7 22,0 12,7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG1   RFT50-500TM3213
    800W 1 GHz 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6,9 6.0 7.0 12,7 4.2 BeO FIG5   RFT50-800TM4826
    1000W 1 GHz 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6,9 6.0 7.0 12,7 4.2 BeO FIG5   RFT50-1000TM4826
    1500W 0,8 GHz 50,0 78,0 40,0 26,0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15,0 4.2 BeO FIG5   RFT50-1500TM5078

    Översikt

    Flänsen är vanligtvis tillverkad av kopparpläterad nickel- eller silverbearbetning. Resistanssubstratet är vanligtvis tillverkat av berylliumoxid, aluminiumnitrid och aluminiumoxidtryck enligt effektkrav och värmeavledningsförhållanden.

    Flänsavslutningen, liksom ledningsavslutningen, används huvudsakligen för att absorbera signalvågor som överförs till slutet av kretsen, förhindra att signalreflektion påverkar kretsen och säkerställa kretssystemets överföringskvalitet.

    Flänstermineringen har egenskapen att den är enkel att installera jämfört med patchmotstånd tack vare sin fläns och monteringshålen på flänsen.


  • Tidigare:
  • Nästa: