-
RFTXX-30CR6363C Chipmotstånd RF-motstånd
Modell RFTXX-30CR6363C Effekt 30W Resistans XX Ω (10~3000Ω Anpassningsbar) Resistanstolerans ±5% Temperaturkoefficient <150 ppm/℃ Substrat BeO-resistivt element Tjockfilm Driftstemperatur -55 till +150°C (Se Effektreducering) Föreslagna monteringsprocedurer Effektreducering Reflow-profil Art.nr. Beteckning Användning observera ■ Efter att förvaringstiden för nyinköpta delar överstigit 6 månader, ska svetsbarheten kontrolleras före användning. Det rekommenderas ... -
RFTXX-30CR2550W Chipmotstånd RF-motstånd
Modell RFTXX-30CR2550W Effekt 30 W Resistans XX Ω (10~3000Ω Anpassningsbar) Resistanstolerans ±5% Temperaturkoefficient <150 ppm/℃ Substrat BeO-resistivt element Tjockfilm Driftstemperatur -55 till +150°C (Se Effektreducering) Föreslagna monteringsprocedurer Effektreducering Reflow-profil Art.nr. Beteckning Användning observera ■ Efter att förvaringstiden för nyinköpta delar överstigit 6 månader, ska svetsbarheten kontrolleras före användning. Det rekommenderas... -
RFTXX-30CR2550TA Chipmotstånd RF-motstånd
Modell RFTXX-30CR2550TA Effekt 30W Resistans XX Ω (10~3000Ω Anpassningsbar) Resistanstolerans ±5% Temperaturkoefficient <150 ppm/℃ Substrat BeO-resistivt element Tjockfilm Driftstemperatur -55 till +150°C (Se Effektreducering) Föreslagna monteringsprocedurer Effektreducering Reflow-profil Art.nr. Beteckning Användning observera ■ Efter att förvaringstiden för nyinköpta delar överstigit 6 månader, ska svetsbarheten kontrolleras före användning. Det rekommenderas... -
RFTXX-30RM2006 Flänsmotstånd RF-motstånd
Modell RFTXX-30RM2006 Effekt 30 W Resistans XX Ω (10~2000Ω anpassningsbar) Resistanstolerans ±5% Kapacitans 2,6 PF@100Ω Temperaturkoefficient <150ppm/℃ Substrat BeO-skydd AL2O3 Monteringsfläns Mässing Bly 99,99% rent silver Resistivt element Tjockfilm Driftstemperatur -55 till +150°C (Se effektreduktion) Översiktsritning (enhet: mm) Ledningslängden kan uppfylla kundens krav Storlekstolerans: 5% om inget annat anges Föreslagen... -
RFTXX-30RM1306 RF-motstånd
Modell RFTXX-30RM1306 Effekt 30 W Resistans XX Ω (10~2000Ω Anpassningsbar) Resistanstolerans ±5% Kapacitans 2,6 PF@100Ω Temperaturkoefficient <150ppm/℃ Substrat BeO-skydd AL2O3 Monteringsfläns Mässing Bly 99,99% rent silver Resistivt element Tjockfilm Driftstemperatur -55 till +150°C (Se effektreduktion) Översiktsritning (enhet: mm) Ledningslängden kan uppfylla kundens krav Storlekstolerans: 5% om inget annat anges Föreslagen... -
Dubbel kopplingsisolator
En dubbelövergångsisolator är en passiv anordning som vanligtvis används i mikrovågs- och millimetervågsfrekvensband för att isolera bakåtsignaler från antennänden. Den består av strukturen av två isolatorer. Dess insättningsförlust och isolering är vanligtvis dubbelt så hög som för en enda isolator. Om isoleringen för en enda isolator är 20 dB, kan isoleringen för en dubbelövergångsisolator ofta vara 40 dB. Portens VSWR ändras inte mycket. I systemet, när radiofrekvenssignalen sänds från ingångsporten till den första ringövergången, eftersom ena änden av den första ringövergången är utrustad med ett radiofrekvensmotstånd, kan dess signal endast sändas till ingångsänden av den andra ringövergången. Den andra loopövergången är densamma som den första, med installerade RF-motstånd kommer signalen att skickas till utgångsporten, och dess isolering kommer att vara summan av isoleringen av de två loopövergångarna. Den bakåtsignal som återvänder från utgångsporten kommer att absorberas av RF-motståndet i den andra ringövergången. På detta sätt uppnås en hög grad av isolering mellan ingångs- och utgångsportarna, vilket effektivt minskar reflektioner och störningar i systemet.
Frekvensområde 10 MHz till 40 GHz, upp till 500 W effekt.
Militära, rymd- och kommersiella tillämpningar.
Låg inkopplingsförlust, hög isolering, hög effekttålighet.
Anpassad design tillgänglig på begäran.
-
SMT/SMD-isolator
SMD-isolatorer är en isoleringsenhet som används för kapsling och installation på ett kretskort (PCB). De används ofta i kommunikationssystem, mikrovågsutrustning, radioutrustning och andra områden. SMD-isolatorer är små, lätta och enkla att installera, vilket gör dem lämpliga för integrerade kretsapplikationer med hög densitet. Följande ger en detaljerad introduktion till egenskaperna och tillämpningarna för SMD-isolatorer. För det första har SMD-isolatorer ett brett spektrum av frekvensbandstäckningskapacitet. De täcker vanligtvis ett brett frekvensområde, såsom 400 MHz-18 GHz, för att möta frekvenskraven för olika applikationer. Denna omfattande frekvensbandstäckningskapacitet gör att SMD-isolatorer kan fungera utmärkt i flera applikationsscenarier.
Frekvensområde 200 MHz till 15 GHz.
Militära, rymd- och kommersiella tillämpningar.
Låg inkopplingsförlust, hög isolering, hög effekttålighet.
Anpassad design tillgänglig på begäran.
-
RFTXX-20RM0904 RF-motstånd
Modell RFTXX-20RM0904 Effekt 20 W Resistans XX Ω (10~3000Ω Anpassningsbar) Resistanstolerans ±5% Kapacitans 1.2 PF@100Ω Temperaturkoefficient <150ppm/℃ Substrat BeO-skydd AL2O3 Monteringsfläns Mässing Bly 99.99% rent silver Resistivt element Tjockfilm Driftstemperatur -55 till +150°C (Se effektreduktion) Översiktsritning (enhet: mm) Ledningslängden kan uppfylla kundens krav Storlekstolerans: 5% om inget annat anges Föreslagen... -
Mikrostrip-isolator
Mikrostripsisolatorer är en vanligt förekommande RF- och mikrovågsenhet som används för signalöverföring och isolering i kretsar. Den använder tunnfilmsteknik för att skapa en krets ovanpå en roterande magnetisk ferrit, och lägger sedan till ett magnetfält för att uppnå detta. Installationen av mikrostripsisolatorer använder vanligtvis metoden för manuell lödning av kopparremsor eller guldtrådsbindning. Strukturen hos mikrostripsisolatorer är mycket enkel jämfört med koaxiala och inbäddade isolatorer. Den mest uppenbara skillnaden är att det inte finns något hålrum, och ledaren i mikrostripsisolatorn tillverkas med hjälp av en tunnfilmsprocess (vakuumsputtring) för att skapa det designade mönstret på den roterande ferriten. Efter elektroplätering fästs den producerade ledaren på det roterande ferritsubstratet. Fäst ett lager av isolerande medium ovanpå grafen och fixera ett magnetfält på mediet. Med en sådan enkel struktur har en mikrostripsisolator tillverkats.
Frekvensområde 2,7 till 43 GHz
Militära, rymd- och kommersiella tillämpningar.
Låg inkopplingsförlust, hög isolering, hög effekttålighet.
Anpassad design tillgänglig på begäran.
-
CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3.0GHz Låg intermodulationsterminering
Modell CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Frekvensområde DC~3.0GHz VSWR 1.20 Max PIM3 ≥120dBc@2*33dBm Effekt 50W Impedans 50 Ω Kontakttyp DIN-M (J) Vattentät klass IP65 Mått 60×60×80mm Driftstemperatur -55 ~ +125°C (Se Effektreduktion) Färg Svart Vikt Cirka 410 g Varning Effektreduktion Art.nr. Beteckning -
RFTXX-20RM1304 RF-motstånd
Modell RFTXX-20RM1304 Effekt 20 W Resistans XX Ω (10~3000Ω Anpassningsbar) Resistanstolerans ±5% Kapacitans 1.2 PF@100Ω Temperaturkoefficient <150ppm/℃ Substrat BeO-skydd AL2O3 Monteringsfläns Mässing Bly 99.99% rent silver Resistivt element Tjockfilm Driftstemperatur -55 till +150°C (Se effektreducering) Översiktsritning (enhet: mm) Ledningslängden kan uppfylla kundens krav Storlekstolerans: 5% om inget annat anges Förslag... -
