Produkter

Produkter

Flänsad avslutning

Flänsade avslutningar installeras i slutet av en krets, som absorberar signaler som sänds i kretsen och förhindrar signalreflektion, vilket påverkar sändningskvaliteten hos kretssystemet.

Den flänsförsedda terminalen monteras genom att svetsa ett enda ledningsterminalmotstånd med flänsar och patchar.Flänsstorleken är vanligtvis utformad utifrån kombinationen av installationshål och terminalmotståndsdimensioner.Anpassning kan också göras efter kundens användningskrav.


  • :
  • Produktdetalj

    Produkttaggar

    Flänsad avslutning

    Flänsad avslutning
    Huvudsakliga tekniska specifikationer:

    Märkeffekt: 5-1500W;
    Substratmaterial: BeO, AlN, Al2O3
    Nominellt motståndsvärde:50Ω
    Motståndstolerans:±5%、±2%、±1%
    Temperaturkoefficient: <150 ppm/℃
    Drifttemperatur: -55~+150℃
    Flänsbeläggning: valfri nickel- eller silverplätering
    ROHS-standard: Överensstämmer med
    Tillämplig standard: Q/RFTYTR001-2022
    Ledningslängd: L enligt databladet
    (kan anpassas efter kundens krav)

    zxczxc1
    Kraft
    (W)
    Frekvens
    Räckvidd
    Mått (enhet: mm) SubstratMaterial Konfiguration Datablad
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6GHz 13,0 4.0 9,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIGUR 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIGUR 1   RFT50A-05TM1104
    9,0 4.0 7,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705((R,L))
    6GHz 13,0 4.0 9,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIGUR 1   RFT50A-10TM1304
    AlN FIGUR 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIGUR 1   RFT50A-10TM1104
    AlN FIGUR 1   RFT50N-10TJ1104
    9,0 4.0 7,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 FIG2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      AlN FIG2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8 GHz 13,0 4.0 9,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIGUR 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIGUR 1   RFT50-10TM1104
    9,0 4.0 7,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705I
    20W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-20TM7705((R,L))
    6GHz 13,0 4.0 9,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN FIGUR 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN FIGUR 1   RFT50N-20TJ1104
    9,0 4.0 7,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN FIG2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8 GHz 13,0 4.0 9,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIGUR 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIGUR 1   RFT50-20TM1104
    9,0 4.0 7,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705I
    30W 6GHz 16,0 6,0 13,0 6,0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIGUR 1   RFT50N-30TJ1606
    BeO FIGUR 1   RFT50-30TM1606
    20.0 6,0 14,0 6,0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIGUR 1   RFT50N-30TJ2006
    BeO FIGUR 1   RFT50-30TM2006
    13,0 6,0 10,0 6,0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO FIG2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60W 6GHz 16,0 6,0 13,0 6,0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIGUR 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO FIGUR 1   RFT50-60TM1606
    20.0 6,0 14,0 6,0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIGUR 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO FIGUR 1   RFT50-60TM2006
    13,0 6,0 10,0 6,0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO FIG2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Kraft
    (W)
    Frekvens
    Räckvidd
    Mått (enhet: mm) Substrat
    Material
    Konfiguration Datablad (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100W 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 BeO FIGUR 1   RFT50-100TM2595
    4GHz 16,0 6,0 13,0 9,0 1.0 2.0 2.5 1.0 6,0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6,0 14,0 9,0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIGUR 1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6,0 18.4 6,0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIGUR 1   RFT50-100TM2506
    16,0 10,0 13,0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23,0 10,0 17,0 10,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIGUR 1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIGUR 1   RFT50-100TJ2510
    5 GHz 13,0 6,35 10,0 6,35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6,35 12,0 6,35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO FIGUR 1   RFT50-100TM1663
    6GHz 16,0 6,0 13,0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIGUR 1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6,0 14,0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIGUR 1   RFT50N-100TJ2006B
    8 GHz 20.0 6,0 14,0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIGUR 1   RFT50N-100TJ2006C
    150W 3GHz 16,0 10,0 13,0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22,0 9.5 14,0 6,35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN FIGUR 1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 BeO FIGUR 1   RFT50-150TM2595
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIGUR 1   RFT50-150TM2510
    4GHz 16,0 10,0 13,0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23,0 10,0 17,0 10,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIGUR 1   RFT50-150TJ2510
    200W 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 BeO FIGUR 1   RFT50-200TM2595
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIGUR 1   RFT50-200TM2510
    4GHz 16,0 10,0 13,0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23,0 10,0 17,0 10,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIGUR 1   RFT50-150TJ2510
    10 GHz 32,0 12.7 22,0 12.7 3.0 5.0 6,0 2.4 6,0 / 4.0 BeO FIGUR 1   RFT50-200TM3213B
    250W 3GHz 23,0 10,0 17,0 12,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-250TM2310
    24.8 10,0 18.4 12,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIGUR 1   RFT50-250TM2510
    27,0 10,0 21.0 12,0 2.5 4.0 5.5 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIGUR 1   RFT50-250TM2710
    10 GHz 32,0 12.7 22,0 12.7 3.0 5.0 6,0 2.4 6,0 / 4.0 BeO FIGUR 1   RFT50-250TM3213B
    300W 3GHz 23,0 10,0 17,0 12,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIGUR 1   RFT50-300TM2310
    24.8 10,0 18.4 12,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIGUR 1   RFT50-300TM2510
    27,0 10,0 21.0 12,0 2.5 4.0 5.5 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIGUR 1   RFT50-300TM2710
    10 GHz 32,0 12.7 22,0 12.7 3.0 5.0 6,0 2.4 6,0 / 4.0 BeO FIGUR 1   RFT50-300TM3213B
    400W 2GHz 32,0 12.7 22,0 12.7 3.0 5.0 6,0 2.4 6,0 / 4.0 BeO FIGUR 1   RFT50-400TM3213
    500W 2GHz 32,0 12.7 22,0 12.7 3.0 5.0 6,0 2.4 6,0 / 4.0 BeO FIGUR 1   RFT50-500TM3213
    800W 1 GHz 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6,0 7,0 12.7 4.2 BeO FIG 5   RFT50-800TM4826
    1000W 1 GHz 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6,0 7,0 12.7 4.2 BeO FIG 5   RFT50-1000TM4826
    1500W 0,8 GHz 50,0 78,0 40,0 26,0 5.0 8.2 9,0 6,0 7,0 15,0 4.2 BeO FIG 5   RFT50-1500TM5078

    Översikt

    Flänsen är vanligtvis gjord av kopparpläterad nickel- eller silverbearbetning.Motståndssubstratet är vanligtvis tillverkat av berylliumoxid, aluminiumnitrid och aluminiumoxidtryck enligt effektkrav och värmeavledningsförhållanden.

    Den flänsade termineringen, liksom den blyförsedda termineringen, används huvudsakligen för att absorbera signalvågor som sänds till slutet av kretsen, förhindra signalreflektion från att påverka kretsen och säkerställa överföringskvaliteten hos kretssystemet.

    Den flänsade termineringen har egenskapen att den är enkel att installera jämfört med patchmotstånd på grund av dess fläns och monteringshål på flänsen.


  • Tidigare:
  • Nästa:

  • Skriv ditt meddelande här och skicka det till oss